Francouzští vědci studovali výrobu křemíkových heterojunkčních buněk s destičkami typu p. S přijetím dopingu gallia by se produkty typu p mohly přiblížit výkonu jejich protějšků typu n. Ale optimální úrovně dopingu budou klíčem k rozvoji této technologie,

Francouzští vědci studovali výrobu křemíkových heterojunkčních buněk s destičkami typu p. S přijetím dopingu gallia by se produkty typu p mohly přiblížit výkonu jejich protějšků typu n. Ale optimální úrovně dopingu budou klíčem k rozvoji této technologie, uvedli vědci.

Solární průmysl se o technologii heterojunction (HJT) zajímá již mnoho let. Vyžaduje však použití křemíkových plátků typu n a výrobci plátků dávali přednost levnějším plátkům typu p.

V letošním roce se HJT opět jeví jako nejlepší způsob, jak zlepšit výkon buněk. Výrobci plátků začínají vyrábět produkty typu n ve velkém. A sledují různé strategie optimalizace nákladů, aby zamezili mezeru mezi produkty typu p.

Někteří lidé ve výzkumné komunitě PV se však rozhodují pro alternativní strategii vývoje destiček typu p pro produkci buněk HJT. Proto aby odpovídaly výkonnosti typu n. Zavedení dopingu gallia do výroby buněk typu p otevřelo mnoho dveří pro tento výzkum. A nabízí řešení pro degradaci vyvolanou světlem, která nevyžaduje vysoké teploty. Stále existují některé nezodpovězené otázky. Ale nedávný výzkum ukázal, že destičky typu p by mohly být použity k výrobě buněk HJT, které konkurují výkonu typu n.

Použití křemíkových plátků

Vědci vedení francouzským výzkumným institutem CEA INES tento potenciál prokázali výrobou buněk HJT typu p na pilotní lince ve své laboratoři. Použitím plátků nařezaných ze speciálně vyrobeného ingotu s nízkou úrovní dopování galliem byla skupina schopna prokázat nejlepší účinnost 24,47 % a výsledky trvale výrazně nad 23 %.

„Tato práce jasně naznačuje, že mezeru v účinnosti solárních článků SHJ typu p až n lze snížit bez nákladných dodatečných a/nebo komplikovanějších procesních kroků,“ uvedla skupina. ,,Buňky se chovají podobným způsobem jako reference typu n. Což se zdá velmi slibné pro aplikace v terénu."

Výzkumníci popsali články v článku „Uzavření mezery mezi křemíkovými heteropřechodovými solárními články typu n a p: účinnost 24,47 % na lehce dopovaných Ga waferech." Ten se nedávno publikoval v Progress in Photovoltaics. Na základě předchozího výzkumu skupina pracovala na předpokladu, že výkon typu p musí být v rozmezí 0,4 % výkonu typu n. Proto aby byl životaschopný na základě nákladů.

Skupina uvedla, že se musí více prozkoumat náklady na střední až nízkou úroveň dopingu u ingotů. Ty si pořídila speciálně pro tuto práci. Poznamenávají také, že tentokrát vyrobili buňky typu p na základě standardních procesních parametrů používaných při výrobě typu n. A že další optimalizace mnoha z nich by mohly být možné, aby se mezera ještě více uzavřela.

Zdroj: pv-magazine, TowPoint